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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JANTX1N5617US

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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
500 μA @ 400 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.6 V @ 3 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/429
Capacità @ Vr, F:
35pF @ 12V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
D-5A
Tempo di recupero inverso (trr):
150 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, A
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
400 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N5617
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
500 μA @ 400 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.6 V @ 3 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/429
Capacità @ Vr, F:
35pF @ 12V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
D-5A
Tempo di recupero inverso (trr):
150 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, A
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
400 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N5617
JANTX1N5617US
Diodo 400 V 1A Montatura superficiale D-5A