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1N5806/TR
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Dettagli del prodotto

Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: DIODO GEN PURP 150V 2.5A APAK

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 150 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
875 mV @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
A, assiale
Tempo di recupero inverso (trr):
25 ns
Mfr:
Microsemi Corporation
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
A, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
150 V
Corrente - media rettificata (Io):
2.5A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N5806
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 150 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
875 mV @ 1 A
Pacchetto:
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Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tempo di recupero inverso (trr):
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Mfr:
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Confezione / Cassa:
A, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
150 V
Corrente - media rettificata (Io):
2.5A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N5806
1N5806/TR
Diodo 150 V 2.5A attraverso foro A, asse

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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