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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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SE70PB-M3/86A

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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 2.9A a 277A

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
20 μA @ 100 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
10,05 V @ 7 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
76pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-277A (SMPC)
Tempo di recupero inverso (trr):
20,6 μs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-277, 3-PowerDFN
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
100 V
Corrente - media rettificata (Io):
2.9A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
Fabbricazione
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
20 μA @ 100 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
10,05 V @ 7 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
76pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-277A (SMPC)
Tempo di recupero inverso (trr):
20,6 μs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-277, 3-PowerDFN
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
100 V
Corrente - media rettificata (Io):
2.9A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
Fabbricazione
SE70PB-M3/86A
Diodo 100 V 2.9A Montatura superficiale TO-277A (SMPC)