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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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RF1BV1

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 600MA AXIALE

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Non utilizzato
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
2 V @ 1 A
Pacchetto:
Tagli il nastro (CT) Nastro & scatola (TB)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
-
Tempo di recupero inverso (trr):
400 ns
Mfr:
Sanken Electric USA Inc.
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-40°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
azionario
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
600 mA
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Non utilizzato
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
2 V @ 1 A
Pacchetto:
Tagli il nastro (CT) Nastro & scatola (TB)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
-
Tempo di recupero inverso (trr):
400 ns
Mfr:
Sanken Electric USA Inc.
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-40°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
azionario
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
600 mA
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
RF1BV1
Diodo 800 V 600 mA attraverso foro