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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > EM1BV1
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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIALE

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
20 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
10,05 V @ 1 A
Pacchetto:
Tagli il nastro (CT) Nastro & scatola (TB)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
-
Mfr:
Sanken Electric USA Inc.
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-40°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
azionario
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
EM 1
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
20 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
10,05 V @ 1 A
Pacchetto:
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Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
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Mfr:
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Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
EM 1
EM1BV1
Diodo 800 V 1A attraverso buco

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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