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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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RFN5TF8SFHC9

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 5A TO220NFM

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
2.1 V @ 5 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220NFM
Tempo di recupero inverso (trr):
40 NS
Mfr:
Semiconduttore Rohm
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
150°C (massimo)
Confezione / Cassa:
Pacchetto completo TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
5A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
RFN5T
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
2.1 V @ 5 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220NFM
Tempo di recupero inverso (trr):
40 NS
Mfr:
Semiconduttore Rohm
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
150°C (massimo)
Confezione / Cassa:
Pacchetto completo TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
5A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
RFN5T
RFN5TF8SFHC9
Diodo 800 V 5A attraverso foro TO-220NFM