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IDDD10G65C6XTMA1

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Descrizione: DIODO SIL CARB 650V 29A HDSOP-10

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
33 μA @ 420 V
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
CoolSiC™+
Capacità @ Vr, F:
495 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-HDSOP-10-1
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Confezione / Cassa:
Modulo 10-PowerSOP
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
29A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
IDDD10
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
33 μA @ 420 V
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
CoolSiC™+
Capacità @ Vr, F:
495 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-HDSOP-10-1
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Confezione / Cassa:
Modulo 10-PowerSOP
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
29A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
IDDD10
IDDD10G65C6XTMA1
Diodo 650 V 29A montatura superficiale PG-HDSOP-10-1