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Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 800 V
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
50 pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-214AB (SMC)
Tempo di recupero inverso (trr):
75 ns
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Tecnologia:
Norme
Confezione / Cassa:
DO-214AB, SMC
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
HS3K
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 800 V
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
50 pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tempo di recupero inverso (trr):
75 ns
Mfr:
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Tecnologia:
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Confezione / Cassa:
DO-214AB, SMC
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
HS3K
HS3K
Diodo di 800 V 3A montato in superficie DO-214AB (SMC)

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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