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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > S4PBHM3_A/H
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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 4A a 277A

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Non utilizzato
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 100 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 4 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Automobilistico, AEC-Q101, eSMP®
Capacità @ Vr, F:
30pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-277A (SMPC)
Tempo di recupero inverso (trr):
2.5 μs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-277, 3-PowerDFN
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
100 V
Corrente - media rettificata (Io):
4a
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
S4P
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Non utilizzato
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 100 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 4 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Automobilistico, AEC-Q101, eSMP®
Capacità @ Vr, F:
30pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-277A (SMPC)
Tempo di recupero inverso (trr):
2.5 μs
Mfr:
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Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-277, 3-PowerDFN
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
100 V
Corrente - media rettificata (Io):
4a
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
S4P
S4PBHM3_A/H
Diodo 100 V 4A montato in superficie TO-277A (SMPC)

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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