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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JANTX1N4500

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Descrizione: DIODE GEN PURP 80V DO35

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
100 nA @ 75 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 300 mA
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/403
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-35
Tempo di recupero inverso (trr):
6 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-204AH, DO-35, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
80 V
Corrente - media rettificata (Io):
-
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N4500
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
100 nA @ 75 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 300 mA
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/403
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-35
Tempo di recupero inverso (trr):
6 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-204AH, DO-35, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
80 V
Corrente - media rettificata (Io):
-
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N4500
JANTX1N4500
Diodo 80 V attraverso foro DO-35