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Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 10 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
750 pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-3
Mfr:
Micro Commercial Co.
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
10A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
SIC20120
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 10 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
750 pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-3
Mfr:
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Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-247-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
10A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
SIC20120
SIC20120PTA-BP
Diodo 1200 V 10A attraverso foro TO-247-3

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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