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VS-3C20ET07S2L-M3

Dettagli del prodotto

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Descrizione: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
µA 100 @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,5 V @ 20 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
845 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-263AB (D2PAK)
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
20A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
µA 100 @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,5 V @ 20 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
845 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-263AB (D2PAK)
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
20A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
VS-3C20ET07S2L-M3
Diodo 650 V 20A montato in superficie TO-263AB (D2PAK)