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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > FFSB10120A
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Descrizione: DIODE SIL CARB 1.2KV 21A D2PAK-3

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Descrizione di prodotto
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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
µA 200 @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.75 V @ 10 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
612 pF @ 1V, 100 kHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
² PAK-3 (TO-263-3) DI D
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
21A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
FFSB10120
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
µA 200 @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.75 V @ 10 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
612 pF @ 1V, 100 kHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
² PAK-3 (TO-263-3) DI D
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
21A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
FFSB10120
FFSB10120A
Diodo 1200 V 21A di montaggio superficiale D2PAK-3 (TO-263-3)

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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