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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > WNSC2D12650TJ
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Descrizione: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
60 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 12 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
380 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
5-DFN (8x8)
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttori di WeEn
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C
Confezione / Cassa:
Piazzola esposta 4-VSFN
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
12A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
WNSC2
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
60 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 12 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
380 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
5-DFN (8x8)
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
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Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C
Confezione / Cassa:
Piazzola esposta 4-VSFN
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
12A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
WNSC2
WNSC2D12650TJ
Diodo 650 V 12A Superficie montata 5-DFN (8x8)

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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