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Descrizione: DIODO SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 2 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
153 pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-252-2
Mfr:
Wolfspeed, Inc.
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-252-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
50 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
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Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.8 V @ 2 A
Pacchetto:
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Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
153 pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Confezione / Cassa:
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Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
E4D02120E-TR
Diodo 1200 V 8A Supposizione di superficie TO-252-2

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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