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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1SS403E, L3F

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Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 100MA ESC

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.2 V @ 100 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
3pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
C.S.C.
Tempo di recupero inverso (trr):
60 ns
Mfr:
Toshiba Semiconductor e Storage
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
150°C (massimo)
Confezione / Cassa:
SC-79, SOD-523
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
100 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
1SS403
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.2 V @ 100 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
3pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
C.S.C.
Tempo di recupero inverso (trr):
60 ns
Mfr:
Toshiba Semiconductor e Storage
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
150°C (massimo)
Confezione / Cassa:
SC-79, SOD-523
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
100 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
1SS403
1SS403E, L3F
Diodo 200 V 100 mA Montatura superficiale ESC