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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > WND10P08XQ
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Descrizione: DIODO GEN PURP 800V 10A TO220F

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.3 V @ 10 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220F
Mfr:
Semiconduttori di WeEn
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
150°C
Confezione / Cassa:
TO-220-2 Confezione completa, compressa isolata
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
10A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
WND10
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.3 V @ 10 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220F
Mfr:
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Tecnologia:
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Temperatura di funzionamento - Giunzione:
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Confezione / Cassa:
TO-220-2 Confezione completa, compressa isolata
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
10A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
WND10
WND10P08XQ
Diodo 800 V 10A attraverso foro TO-220F

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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