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MNS1N6627US/TR

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Descrizione: DIODE GEN PURP 440V 1.75A E-MELF

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 μA @ 440 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.35 V @ 2 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
E-MELF
Tempo di recupero inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, B
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
440 V
Corrente - media rettificata (Io):
1.75A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
2 μA @ 440 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.35 V @ 2 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
E-MELF
Tempo di recupero inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, B
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
440 V
Corrente - media rettificata (Io):
1.75A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
MNS1N6627US/TR
Diodo 440 V 1.75A Montatura superficiale E-MELF