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PCDB20120G1_R2_00001

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODO SIL CARB 1.2KV 20A TO263

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
180 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 20 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
1040 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-263
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Panjit International Inc.
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
20A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
PCDB20120
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
180 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.7 V @ 20 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
1040 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-263
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Panjit International Inc.
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
20A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
PCDB20120
PCDB20120G1_R2_00001
Diodo 1200 V 20A Montatura di superficie TO-263