Dettagli del prodotto
Termini di trasporto & di pagamento
Descrizione: DIODE SIC 650V 8A TO220F-2FS
Categoria: |
Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli |
stato del prodotto: |
L'ultima volta che ho comprato |
Corrente - perdite inverse @ Vr: |
200 μA @ 650 V |
Tipo di montaggio: |
Attraverso il buco |
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: |
10,75 V @ 8 A |
Pacchetto: |
Tubo |
Serie: |
- |
Capacità @ Vr, F: |
463 pF @ 1V, 100 kHz |
Confezione del dispositivo del fornitore: |
TO-220F-2FS |
Tempo di recupero inverso (trr): |
0 ns |
Mfr: |
ONSEMI |
Tecnologia: |
Sic (carburo di silicio) Schottky |
Temperatura di funzionamento - Giunzione: |
-55°C ~ 175°C |
Confezione / Cassa: |
Pacchetto completo TO-220-2 |
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): |
650 V |
Corrente - media rettificata (Io): |
8A |
Velocità: |
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) |
Numero del prodotto di base: |
FFSPF0865 |
Categoria: |
Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli |
stato del prodotto: |
L'ultima volta che ho comprato |
Corrente - perdite inverse @ Vr: |
200 μA @ 650 V |
Tipo di montaggio: |
Attraverso il buco |
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: |
10,75 V @ 8 A |
Pacchetto: |
Tubo |
Serie: |
- |
Capacità @ Vr, F: |
463 pF @ 1V, 100 kHz |
Confezione del dispositivo del fornitore: |
TO-220F-2FS |
Tempo di recupero inverso (trr): |
0 ns |
Mfr: |
ONSEMI |
Tecnologia: |
Sic (carburo di silicio) Schottky |
Temperatura di funzionamento - Giunzione: |
-55°C ~ 175°C |
Confezione / Cassa: |
Pacchetto completo TO-220-2 |
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): |
650 V |
Corrente - media rettificata (Io): |
8A |
Velocità: |
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) |
Numero del prodotto di base: |
FFSPF0865 |