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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > VS-3C04ET07T-M3
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Descrizione: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
25 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.5 V @ 4 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
175 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220AC
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
4a
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
25 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.5 V @ 4 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
175 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
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Temperatura di funzionamento - Giunzione:
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Confezione / Cassa:
TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
4a
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
VS-3C04ET07T-M3
Diodo 650 V 4A attraverso foro TO-220AC

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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