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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > 1SS250 ((TE85L,F)
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Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Non per nuovi disegni
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.2 V @ 100 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
3pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
SC-59
Tempo di recupero inverso (trr):
60 ns
Mfr:
Toshiba Semiconductor e Storage
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
125°C (massimo)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
100 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
1SS250
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Non per nuovi disegni
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 200 V
Tipo di montaggio:
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Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.2 V @ 100 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
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Capacità @ Vr, F:
3pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
100 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
1SS250
1SS250 ((TE85L,F)
Diodo 200 V 100 mA Montatura superficiale SC-59

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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