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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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Esh1d

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Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
900 mV @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
16pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-214AC (SMA)
Tempo di recupero inverso (trr):
15 NS
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-214AC, SMA
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
ESH1
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 200 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
900 mV @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
16pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-214AC (SMA)
Tempo di recupero inverso (trr):
15 NS
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-214AC, SMA
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
ESH1
Esh1d
Diodo 200 V 1A montato in superficie DO-214AC (SMA)