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PCDP10120G1_T0_00001

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODO SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,7 V @ 10 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
529 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220AC
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Panjit International Inc.
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
10A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
PCDP10120
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,7 V @ 10 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
529 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220AC
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Panjit International Inc.
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
10A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
PCDP10120
PCDP10120G1_T0_00001
Diodo 1200 V 10A attraverso foro TO-220AC