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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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MPG06M-E3/53

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 1A MPG06

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 1 A
Pacchetto:
Tagli il nastro (CT) Nastro & scatola (TB)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
10pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
MPG06
Tempo di recupero inverso (trr):
600 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
MPG06, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1000 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
MPG06
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.1 V @ 1 A
Pacchetto:
Tagli il nastro (CT) Nastro & scatola (TB)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
10pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
MPG06
Tempo di recupero inverso (trr):
600 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
MPG06, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1000 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
MPG06
MPG06M-E3/53
Diodo 1000 V 1A attraverso foro MPG06