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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > 1N5809
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Dettagli del prodotto

Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIALE

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
875 mV @ 4 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
60pF @ 10V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
B, assiale
Tempo di recupero inverso (trr):
30 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
B, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
100 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N5809
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo di montaggio:
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Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
875 mV @ 4 A
Pacchetto:
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Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
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Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tempo di recupero inverso (trr):
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Confezione / Cassa:
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Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
100 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N5809
1N5809
Diodo 100 V 3A attraverso foro B, asse

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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