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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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MUR120GP-TP

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Descrizione: DIODO GEN PURP 200V 1A DO41

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.35 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
10pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-41
Tempo di recupero inverso (trr):
45 ns
Mfr:
Micro Commercial Co.
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
DO-204AL, DO-41, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
MUR120
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.35 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
10pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-41
Tempo di recupero inverso (trr):
45 ns
Mfr:
Micro Commercial Co.
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
DO-204AL, DO-41, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
200 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
MUR120
MUR120GP-TP
Diodo 200 V 1A attraverso foro DO-41