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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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SE10FG-M3/I

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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 400 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
10,05 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
7.5pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-219AB (SMF)
Tempo di recupero inverso (trr):
780 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-219AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
400 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
SE10
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 400 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
10,05 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
7.5pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-219AB (SMF)
Tempo di recupero inverso (trr):
780 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-219AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
400 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
SE10
SE10FG-M3/I
Diodo 400 V 1A montato in superficie DO-219AB (SMF)