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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > 1t6g
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Dettagli del prodotto

Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 1 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
10pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
ts-1
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
T-18, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1t6g
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 1 A
Pacchetto:
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Serie:
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Capacità @ Vr, F:
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Confezione del dispositivo del fornitore:
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Mfr:
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Confezione / Cassa:
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Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1t6g
1t6g
Diodo 800 V 1A attraverso foro TS-1

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

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