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1SS307 ((TE85L,F)

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODE GEN PURP 30V 100MA S-MINI

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 nA @ 30 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.3 V @ 100 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
6pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
S-mini
Mfr:
Toshiba Semiconductor e Storage
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
125°C (massimo)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
30 V
Corrente - media rettificata (Io):
100 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
1SS307
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 nA @ 30 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.3 V @ 100 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
6pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
S-mini
Mfr:
Toshiba Semiconductor e Storage
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
125°C (massimo)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
30 V
Corrente - media rettificata (Io):
100 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
1SS307
1SS307 ((TE85L,F)
Diodo 30 V 100 mA S-Mini