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BAS1602le6327xtma1

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODE GP 80V 200MA TSLP-2-1

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
L'ultima volta che ho comprato
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 75 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,25 V a 150 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TSLP-2-1
Tempo di recupero inverso (trr):
4 ns
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
150°C (massimo)
Confezione / Cassa:
SOD-882
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
80 V
Corrente - media rettificata (Io):
200 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
BAS1602
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
L'ultima volta che ho comprato
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 75 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,25 V a 150 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TSLP-2-1
Tempo di recupero inverso (trr):
4 ns
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
150°C (massimo)
Confezione / Cassa:
SOD-882
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
80 V
Corrente - media rettificata (Io):
200 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
BAS1602
BAS1602le6327xtma1
Diodo 80 V 200 mA Monte di superficie PG-TSLP-2-1