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SBR0240LPWQ-7B-52

Dettagli del prodotto

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Descrizione: SBR Diodo X1-DFN1006-2/SWP T&R 1

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 40 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
590 mV @ 200 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
8pF @ 5V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
X1-DFN1006-2
Tempo di recupero inverso (trr):
3,8 NS
Mfr:
Diodi incorporati
Tecnologia:
Super Barriera
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
0402 (1006 metrici)
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
40 V
Corrente - media rettificata (Io):
200 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 40 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
590 mV @ 200 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
8pF @ 5V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
X1-DFN1006-2
Tempo di recupero inverso (trr):
3,8 NS
Mfr:
Diodi incorporati
Tecnologia:
Super Barriera
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
0402 (1006 metrici)
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
40 V
Corrente - media rettificata (Io):
200 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
SBR0240LPWQ-7B-52
Diodo 40 V 200mA Montatura superficiale X1-DFN1006-2