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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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AS1FJHM3/H

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Descrizione: DIODE AVAL 600V 1.5A DO219AB

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.15 V @ 1,5 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT)
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
8.8pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-219AB (SMF)
Tempo di recupero inverso (trr):
1,3 µs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Valanga
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-219AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
1.5A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.15 V @ 1,5 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT)
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
8.8pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-219AB (SMF)
Tempo di recupero inverso (trr):
1,3 µs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Valanga
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-219AB
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
1.5A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
AS1FJHM3/H
Diodo 600 V 1.5A montato in superficie DO-219AB (SMF)