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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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FFSH20120A

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Descrizione: DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
µA 200 @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.75 V @ 20 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
1220 pF @ 1V, 100KHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Confezione / Cassa:
TO-247-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
30A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
FFSH20120
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
µA 200 @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.75 V @ 20 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
1220 pF @ 1V, 100KHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Confezione / Cassa:
TO-247-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
30A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
FFSH20120
FFSH20120A
Diodo 1200 V 30A attraverso foro TO-247-2