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BAL99E6433HTMA1

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
L'ultima volta che ho comprato
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 70 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,25 V a 150 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
1.5pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-SOT23
Tempo di recupero inverso (trr):
4 ns
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
80 V
Corrente - media rettificata (Io):
250 mA
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
BAL99
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
L'ultima volta che ho comprato
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 70 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,25 V a 150 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
1.5pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-SOT23
Tempo di recupero inverso (trr):
4 ns
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
80 V
Corrente - media rettificata (Io):
250 mA
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
BAL99
BAL99E6433HTMA1
Diodo 80 V 250 mA Monte di superficie PG-SOT23