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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N914

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Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
500 nA @ 75 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.2 V @ 50 mA
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-35 (DO-204AH)
Tempo di recupero inverso (trr):
20 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-204AH, DO-35, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
75 V
Corrente - media rettificata (Io):
200 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
1N914
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
500 nA @ 75 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.2 V @ 50 mA
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-35 (DO-204AH)
Tempo di recupero inverso (trr):
20 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-204AH, DO-35, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
75 V
Corrente - media rettificata (Io):
200 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
1N914
1N914
Diodo 75 V 200mA attraverso foro DO-35 (DO-204AH)