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Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2
| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli | stato del prodotto: | Attivo | Corrente - perdite inverse @ Vr: | 100 nA @ 150 V | Tipo di montaggio: | Attraverso il buco | Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: | 1.25 V @ 200 mA | Pacchetto: | Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT) | Serie: | - | Capacità @ Vr, F: | 5pF @ 0V, 1MHz | Confezione del dispositivo del fornitore: | ALF2 | Tempo di recupero inverso (trr): | 50 ns | Mfr: | Nexperia USA Inc. | Tecnologia: | Norme | Temperatura di funzionamento - Giunzione: | 175°C (massimo) | Confezione / Cassa: | DO-204AH, DO-35, asse | Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): | 150 V | Corrente - media rettificata (Io): | 250 mA | Velocità: | Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a: | Numero del prodotto di base: | BAV20 | 
| Categoria: | Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli | 
| stato del prodotto: | Attivo | 
| Corrente - perdite inverse @ Vr: | 100 nA @ 150 V | 
| Tipo di montaggio: | Attraverso il buco | 
| Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se: | 1.25 V @ 200 mA | 
| Pacchetto: | Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT) | 
| Serie: | - | 
| Capacità @ Vr, F: | 5pF @ 0V, 1MHz | 
| Confezione del dispositivo del fornitore: | ALF2 | 
| Tempo di recupero inverso (trr): | 50 ns | 
| Mfr: | Nexperia USA Inc. | 
| Tecnologia: | Norme | 
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | 175°C (massimo) | 
| Confezione / Cassa: | DO-204AH, DO-35, asse | 
| Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max): | 150 V | 
| Corrente - media rettificata (Io): | 250 mA | 
| Velocità: | Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a: | 
| Numero del prodotto di base: | BAV20 |