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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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FFSP08120A

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Descrizione: DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO220-2L

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
µA 200 @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
10,75 V @ 8 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
538 pF @ 1V, 100 kHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220-2L
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
FFSP08120
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
µA 200 @ 1200 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
10,75 V @ 8 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
538 pF @ 1V, 100 kHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220-2L
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1200 V
Corrente - media rettificata (Io):
8A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
FFSP08120
FFSP08120A
Diodo 1200 V 8A attraverso foro TO-220-2L