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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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RFN2LAM6STR

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
10,55 V @ 1,5 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
PMDTM
Tempo di recupero inverso (trr):
35 ns
Mfr:
Semiconduttore Rohm
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
150°C (massimo)
Confezione / Cassa:
SOD-128
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
1.5A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
RFN2LAM6
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
10,55 V @ 1,5 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
PMDTM
Tempo di recupero inverso (trr):
35 ns
Mfr:
Semiconduttore Rohm
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
150°C (massimo)
Confezione / Cassa:
SOD-128
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
1.5A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
RFN2LAM6
RFN2LAM6STR
Diodo di 600 V 1.5A di montaggio superficiale PMDTM