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Descrizione: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
140 µA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,7 V @ 10 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
thinQ!™
Capacità @ Vr, F:
480 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO220-2-2
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
10A (CC)
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
140 µA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1,7 V @ 10 A
Pacchetto:
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Serie:
thinQ!™
Capacità @ Vr, F:
480 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO220-2-2
Tempo di recupero inverso (trr):
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Temperatura di funzionamento - Giunzione:
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Confezione / Cassa:
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Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
10A (CC)
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
IDT10S60C
Diodo 600 V 10A (DC) attraverso foro PG-TO220-2-2

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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