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Casa > prodotti > Componenti elettronici CI > SCS306APC9
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Descrizione: DIODE CARBIDO DI SILICO 650V 6A

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Non per nuovi disegni
Corrente - perdite inverse @ Vr:
30 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.5 V @ 6 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
300 pF @ 1V, 1MHz
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Semiconduttore Rohm
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C (massimo)
Confezione / Cassa:
TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
6A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
SCS306
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Non per nuovi disegni
Corrente - perdite inverse @ Vr:
30 μA @ 650 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.5 V @ 6 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
300 pF @ 1V, 1MHz
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
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Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
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Confezione / Cassa:
TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
650 V
Corrente - media rettificata (Io):
6A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
SCS306
SCS306APC9
Diodo 650 V 6A attraverso buco

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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