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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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RFN1LAM7STR

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Descrizione: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 µA @ 700 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.5 V @ 800 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
PMDTM
Tempo di recupero inverso (trr):
80 NS
Mfr:
Semiconduttore Rohm
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
150°C (massimo)
Confezione / Cassa:
SOD-128
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
700 V
Corrente - media rettificata (Io):
800mA
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
RFN1LAM7
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 µA @ 700 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.5 V @ 800 mA
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
PMDTM
Tempo di recupero inverso (trr):
80 NS
Mfr:
Semiconduttore Rohm
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
150°C (massimo)
Confezione / Cassa:
SOD-128
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
700 V
Corrente - media rettificata (Io):
800mA
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
RFN1LAM7
RFN1LAM7STR
Diodo 700 V 800 mA di montaggio superficiale PMDTM