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Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.25 V @ 3 A
Pacchetto:
Borsa
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
28pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-201AD
Tempo di recupero inverso (trr):
200 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-50°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
DO-201AD, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
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Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1.25 V @ 3 A
Pacchetto:
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Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
28pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Tempo di recupero inverso (trr):
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Confezione / Cassa:
DO-201AD, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
GI858/MR858
Diodo 800 V 3A attraverso foro DO-201AD

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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