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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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BAS33-TAP

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Descrizione: DIODE GEN PURP 30V 200MA DO35

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 nA @ 15 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 100 mA
Pacchetto:
Tagli il nastro (CT) Nastro & scatola (TB)
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
3pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-35 (DO-204AH)
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C (massimo)
Confezione / Cassa:
DO-204AH, DO-35, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
30 V
Corrente - media rettificata (Io):
200 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
BAS33
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 nA @ 15 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 100 mA
Pacchetto:
Tagli il nastro (CT) Nastro & scatola (TB)
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Capacità @ Vr, F:
3pF @ 0V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
DO-35 (DO-204AH)
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
175°C (massimo)
Confezione / Cassa:
DO-204AH, DO-35, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
30 V
Corrente - media rettificata (Io):
200 mA
Velocità:
Segnale di piccole dimensioni =< 200 mA (Io), qualsiasi velocità
Numero del prodotto di base:
BAS33
BAS33-TAP
Diodo 30 V 200 mA attraverso foro DO-35 (DO-204AH)