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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N5627-Tr

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Descrizione: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 3 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
60pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOD-64
Tempo di recupero inverso (trr):
7.5 μs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Valanga
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
SOD-64, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N5627
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
1 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 3 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
60pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOD-64
Tempo di recupero inverso (trr):
7.5 μs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Tecnologia:
Valanga
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
SOD-64, asse
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N5627
1N5627-Tr
Diodo 800 V 3A attraverso foro SOD-64