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1N5407G
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Dettagli del prodotto

Termini di trasporto & di pagamento

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIALE

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Non per nuovi disegni
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 3 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
azionario
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
DO-201AA, DO-27, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N5407
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Non per nuovi disegni
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 3 A
Pacchetto:
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Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
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Confezione / Cassa:
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Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
800 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N5407
1N5407G
Diodo 800 V 3A attraverso l'asse del foro

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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