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Dettagli del prodotto

Termini di trasporto & di pagamento

Description: DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2

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Dettagli del prodotto

Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
40 µA @ 650 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
2.3 V @ 3 A
Package:
Tube
Series:
-
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
TO-220-2
Reverse Recovery Time (trr):
40 ns
Mfr:
Infineon Technologies
Technology:
Standard
Operating Temperature - Junction:
-40°C ~ 175°C
Package / Case:
TO-220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
650 V
Current - Average Rectified (Io):
8A
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Product Number:
IDP08E65
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
40 µA @ 650 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
2.3 V @ 3 A
Package:
Tube
Series:
-
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
TO-220-2
Reverse Recovery Time (trr):
40 ns
Mfr:
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Technology:
Standard
Operating Temperature - Junction:
-40°C ~ 175°C
Package / Case:
TO-220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
650 V
Current - Average Rectified (Io):
8A
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Product Number:
IDP08E65
IDP08E65D2XKSA1
Diodo 650 V 8A attraverso foro TO-220-2

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

St ICS del microcontroller pungente 32

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