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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N6864US

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Descrizione: DIODE SCHOTTKY 80V 3A B SQ-MELF

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
150 μA @ 80 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
700 sistemi MV @ 3 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/620
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
B, SQ-MELF
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 125°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, B
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
80 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
150 μA @ 80 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
700 sistemi MV @ 3 A
Pacchetto:
BOLTO
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/620
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
B, SQ-MELF
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Tecnologia:
Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 125°C
Confezione / Cassa:
SQ-MELF, B
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
80 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
1N6864US
Diodo 80 V 3A Supporto di superficie B, SQ-MELF