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Descrizione: DIODE SIL CARB 600V 12A TO220-1

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Descrizione di prodotto
Evidenziare:
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
100 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
2.1 V @ 12 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
CoolSiC™+
Capacità @ Vr, F:
310 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO220-2-1
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
Mfr:
Tecnologie Infineon
Tecnologia:
Sic (carburo di silicio) Schottky
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-55°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
12A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
IDH12SG60
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
100 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
2.1 V @ 12 A
Pacchetto:
Tubo
Serie:
CoolSiC™+
Capacità @ Vr, F:
310 pF @ 1V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-TO220-2-1
Tempo di recupero inverso (trr):
0 ns
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Tecnologia:
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Temperatura di funzionamento - Giunzione:
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Confezione / Cassa:
TO-220-2
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
12A
Velocità:
Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
IDH12SG60
IDH12SG60CXKSA2
Diodo 600 V 12A attraverso foro PG-TO220-2-1

Tags:

Componenti elettronici dell'OEM STM32L073V8T6,

32 componenti elettronici pungenti dell'OEM del microcontroller,

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