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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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MUR410RLG

Dettagli del prodotto

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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 4A AXIALE

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Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
890 mV @ 4 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT)
Serie:
SWITCHMODE™
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
azionario
Tempo di recupero inverso (trr):
35 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-201AA, DO-27, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
100 V
Corrente - media rettificata (Io):
4a
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
MUR410
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
stato del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
890 mV @ 4 A
Pacchetto:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT)
Serie:
SWITCHMODE™
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
azionario
Tempo di recupero inverso (trr):
35 ns
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
DO-201AA, DO-27, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
100 V
Corrente - media rettificata (Io):
4a
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
MUR410
MUR410RLG
Diodo 100 V 4A attraverso l'asse del foro